SIR468DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR468DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low-side switch and notebook DC-to-DC applications.

SIR468DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR468DP-T1-GE3

型号： SIR468DP-T1-GE3

描述：VISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

替代型号SIR468DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIR468DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
CSD16410Q5A 德州仪器	功能相似	SIR468DP-T1-GE3和CSD16410Q5A的区别
IRFH5304TRPBF 英飞凌	功能相似	SIR468DP-T1-GE3和IRFH5304TRPBF的区别
BSC057N03MS G 英飞凌	功能相似	SIR468DP-T1-GE3和BSC057N03MS G的区别