SI4116DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 7.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1925pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买SI4116DY-T1-GE3
型号： SI4116DY-T1-GE3
描述：N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor