VISHAY SUD19P06-60-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC/DC converters and power switch applications.
e络盟:
VISHAY SUD19P06-60-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 19A, TO-252
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 P沟道 60 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-252
Newark:
# VISHAY SUD19P06-60-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -19 A, -60 V, 0.048 ohm, 20 V, -3 V
儒卓力:
**P-CH 60V 19A 60mOhm TO252-3 **
针脚数 3
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.3 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -19.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SUD19P06-60-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD20P06LT4G 安森美 | 功能相似 | SUD19P06-60-GE3和NTD20P06LT4G的区别 |