SUD19P06-60-GE3

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SUD19P06-60-GE3概述

VISHAY  SUD19P06-60-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V

The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC/DC converters and power switch applications.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested

e络盟:
VISHAY  SUD19P06-60-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 19A, TO-252


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin2+Tab DPAK


富昌:
单 P沟道 60 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-252


Newark:
# VISHAY  SUD19P06-60-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -19 A, -60 V, 0.048 ohm, 20 V, -3 V


儒卓力:
**P-CH 60V 19A 60mOhm TO252-3 **


SUD19P06-60-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.3 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -19.0 A

上升时间 9 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SUD19P06-60-GE3
型号: SUD19P06-60-GE3
描述:VISHAY  SUD19P06-60-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
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