SI7629DN-T1-GE3

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SI7629DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3700 mW

输入电容Ciss 5790pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7629DN-T1-GE3
型号: SI7629DN-T1-GE3
描述:P沟道20 V (D -S )的MOSFET P-Channel 20 V D-S MOSFET

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