SIR462DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR462DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIR462DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 41.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1155pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 5.89 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR462DP-T1-GE3

型号： SIR462DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

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替代型号SIR462DP-T1-GE3

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