SI4386DY-T1-E3

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SI4386DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 9 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1470 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4386DY-T1-E3
型号: SI4386DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC N T/R

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