SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1图片1
SI8409DB-T1-E1图片2
SI8409DB-T1-E1图片3
SI8409DB-T1-E1图片4
SI8409DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.47 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds -30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -6.30 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8409DB-T1-E1
型号: SI8409DB-T1-E1
描述:P沟道 30 V 漏-源 MOSFET

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司