





VISHAY SIS476DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1.5 V
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
欧时:
### N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SIS476DN-T1-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK 1212-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
单 N 沟道 30 V 2.5 mOhm TrenchFET Gen IV 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8
Newark:
# VISHAY SIS476DN-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.00205 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 1 V
输入电容 3595pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
热阻 2.4℃/W RθJC
输入电容Ciss 3595pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAK-1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free