SIS476DN-T1-GE3

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SIS476DN-T1-GE3概述

VISHAY  SIS476DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1.5 V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SIS476DN-T1-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK 1212-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N 沟道 30 V 2.5 mOhm TrenchFET Gen IV 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Newark:
# VISHAY  SIS476DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1 V


SIS476DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.00205 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 1 V

输入电容 3595pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

热阻 2.4℃/W RθJC

输入电容Ciss 3595pF @15VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.12 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS476DN-T1-GE3
型号: SIS476DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SIS476DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1.5 V

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