SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3图片1
SI5418DU-T1-GE3图片2
SI5418DU-T1-GE3图片3
SI5418DU-T1-GE3图片4
SI5418DU-T1-GE3图片5
SI5418DU-T1-GE3概述

VISHAY  SI5418DU-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 12A POWERPAK, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


富昌:
单 N沟道 30V 14.5 mOhm 表面贴装 TrenchFET 功率 Mosfet - POWERPAK


Newark:
# VISHAY  SI5418DU-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1.2 V


SI5418DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0185 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输入电容Ciss 1350pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPak-8

外形尺寸

长度 3.08 mm

宽度 1.98 mm

高度 0.85 mm

封装 PowerPak-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5418DU-T1-GE3
型号: SI5418DU-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5418DU-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 12A POWERPAK, 整卷

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台