SI7119DN-T1-E3

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SI7119DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.86 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds -200 V

连续漏极电流Ids -3.80 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7119DN-T1-E3
型号: SI7119DN-T1-E3
描述:MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05Ω @ 10V

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