SI4812BDY-T1-GE3概述
VISHAY SI4812BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道 30-VD-S 带肖特基二极管
The is a 30VDS LITTLE FOOT® Plus N-channel enhancement-mode Power MOSFET with Schottky diode.
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- 100% Rg tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
e络盟:
VISHAY SI4812BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道 30-VD-S 带肖特基二极管
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4812BDY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 9.5 A, 30 V, 13 mohm, 10 V, 1 V
SI4812BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 13 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4812BDY-T1-GE3
型号： SI4812BDY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4812BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道 30-VD-S 带肖特基二极管