VISHAY SI4427BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 V
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单通道 P 沟道 30 V 0.0105 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4427BDY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -12.6 A, -30 V, 0.0088 ohm, 12 V, -1.4 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0088 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -12.6 A
上升时间 15 ns
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
引脚数 8
封装 SOIC
高度 1.55 mm
封装 SOIC
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4425BDY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4427BDY-T1-E3和SI4425BDY-T1-E3的区别 |
SI4425DDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4427BDY-T1-E3和SI4425DDY-T1-GE3的区别 |
SI4427BDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4427BDY-T1-E3和SI4427BDY-T1-GE3的区别 |