SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3图片1
SI7121DN-T1-GE3图片2
SI7121DN-T1-GE3图片3
SI7121DN-T1-GE3图片4
SI7121DN-T1-GE3图片5
SI7121DN-T1-GE3图片6
SI7121DN-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
P 沟道 30 V 0.018 Ohm 52 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8


Newark:
# VISHAY  SI7121DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -16 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -3 V


SI7121DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -16.0 A

上升时间 13.0 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 27.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7121DN-T1-GE3
型号: SI7121DN-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI7121DN-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7121DN-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

IRFHM9331TRPBF

英飞凌

功能相似

SI7121DN-T1-GE3和IRFHM9331TRPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台