VISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for notebook PC, graphic card, server and DC-to-DC converter applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0029 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 54 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2730pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5.15 mm
宽度 5.89 mm
高度 1.04 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIR466DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIJ400DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SIR466DP-T1-GE3和SIJ400DP-T1-GE3的区别 |
IRFH5304TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SIR466DP-T1-GE3和IRFH5304TRPBF的区别 |