SI7112DN-T1-GE3

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SI7112DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7112DN-T1-GE3
型号: SI7112DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
替代型号SI7112DN-T1-GE3
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