SI7414DN-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7414DN-T1-E3概述

VISHAY SI7414DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V

The is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

.: Reduced total dynamic gate charge Qg

.: Fast switching

.: PWM optimized for high efficiency

.: New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile

.: 100% Rg tested

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI7414DN-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 12 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7414DN-T1-E3

型号： SI7414DN-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7414DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V

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