





VISHAY SI7322DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAK
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary switch and isolated DC-to-DC converter applications.
贸泽:
MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
富昌:
单 N沟道 100 V 0.058 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Newark:
# VISHAY SI7322DN-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 100 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7322DN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIS892ADN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7322DN-T1-GE3和SIS892ADN-T1-GE3的区别 |