SI7112DN-T1-E3

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SI7112DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0082 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17.8 A

上升时间 10 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7112DN-T1-E3
型号: SI7112DN-T1-E3
描述:N沟道 30 V 7.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK 1212-8

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