SI7820DN-T1-E3

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SI7820DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 2.60 A

上升时间 12 ns

下降时间 17 ns

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7820DN-T1-E3
型号: SI7820DN-T1-E3
描述:N沟道200 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 200-V D-S MOSFET

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