SI7114DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.3 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7114DN-T1-E3
型号： SI7114DN-T1-E3
描述：VISHAY SI7114DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 1 V