VISHAY SI4848DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7A
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 N 沟道 150 V 0.085 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4848DY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
力源芯城:
150V,3.7A,N沟道MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4848DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4848DY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4848DY-T1-E3和SI4848DY-T1-GE3的区别 |