SI7157DP-T1-GE3

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SI7157DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7157DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -60A, POWERPAK SO-8

The is a 20V P-channel TrenchFET® Gen III Power MOSFET for mobile computing.

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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
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±12V Gate-source voltage

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 46.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 46.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
Si7157DP Series 20 V 60 A 1.6 mOhm SMT P-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8


Newark:
# VISHAY  SI7157DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -60 A, -20 V, 0.00125 ohm, -10 V, -1.4 V


SI7157DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.00125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 104 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7157DP-T1-GE3
型号: SI7157DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7157DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -60A, POWERPAK SO-8

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