SI8429DB-T1-E1

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SI8429DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.77 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds -8.00 V

栅源击穿电压 ±5.00 V

连续漏极电流Ids -10.2 A

上升时间 25 ns

下降时间 155 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MICRO FOOT

外形尺寸

封装 MICRO FOOT

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI8429DB-T1-E1
描述:VISHAY  SI8429DB-T1-E1  晶体管, P沟道

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