SI7414DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7414DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.70 A

上升时间 12 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI7414DN-T1-GE3

型号： SI7414DN-T1-GE3

描述：VISHAY SI7414DN-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212

替代型号SI7414DN-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7414DN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI7414DN-T1-E3 威世	类似代替	SI7414DN-T1-GE3和SI7414DN-T1-E3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI7414DN-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

SI7414DN-T1-E3

威世

类似代替