VISHAY SI4463BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
The is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET; P-Channel; -20 V; + 12 V; 0.009Ohms @ -4.5 V, -13 A; 1.5 W @ degC
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 P 沟道 20 V 0.011 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4463BDY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, 13.7 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids 13.7 A
上升时间 60 ns
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4463BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4463BDY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4463BDY-T1-E3和SI4463BDY-T1-GE3的区别 |