VISHAY SI7336ADP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low-side DC-to-DC conversion applications.
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- Ultra-low ON-resistance
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- Qg optimized
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.4 W
阈值电压 1 V
输入电容 5600pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 5.99 mm
高度 1.07 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7336ADP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7336ADP-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI7336ADP-T1-E3和SI7336ADP-T1-GE3的区别 |
IRFH5304TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI7336ADP-T1-E3和IRFH5304TRPBF的区别 |