SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-06AP-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 10 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

输入电容Ciss 3800pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 10000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

高度 2.39 mm

封装 TO-252

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N03-06AP-E3
型号: SUD50N03-06AP-E3
描述:N 沟道 30 V 5.7 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252

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