SIR802DP-T1-GE3概述
VISHAY SIR802DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 600 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, low voltage drive and POL applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIR802DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 27.7 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1785pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4600 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIR802DP-T1-GE3
型号： SIR802DP-T1-GE3
描述：VISHAY SIR802DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 600 mV