VISHAY SI7454DDP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server, full/half-bridge DC-to-DC and synchronous rectification applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 29.7 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 550pF @50VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 29.7 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7454CDP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7454DDP-T1-GE3和SI7454CDP-T1-GE3的区别 |