SIR862DP-T1-GE3

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SIR862DP-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
N 沟道 25 V 50 A 2.8 mΩ 28.4 nC 表面贴装 Mosfet -PowerPAK SO-8


SIR862DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

输入电容Ciss 3800pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5 mm

高度 1.12 mm

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR862DP-T1-GE3
型号: SIR862DP-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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