SIR464DP-T1-GE3概述
VISHAY SIR464DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 50A, POWERPAK8
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for notebook, server and DC-to-DC conversion applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIR464DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 3545pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5200 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIR464DP-T1-GE3
型号： SIR464DP-T1-GE3
描述：VISHAY SIR464DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 50A, POWERPAK8