SI7108DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7108DN-T1-GE3
型号： SI7108DN-T1-GE3
描述：VISHAY SI7108DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V
替代型号SI7108DN-T1-GE3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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SIS410DN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7108DN-T1-GE3和SIS410DN-T1-GE3的区别 |