SI6423DQ-T1-E3

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SI6423DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -9.50 A

上升时间 75 ns

下降时间 200 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6423DQ-T1-E3
型号: SI6423DQ-T1-E3
描述:P沟道 12 V 8.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - TSSOP-8

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