SI4630DY-T1-E3

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SI4630DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

输入电容Ciss 6670pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4630DY-T1-E3
型号: SI4630DY-T1-E3
描述:N通道25 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 25-V D-S MOSFET

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