SI4136DY-T1-GE3概述
VISHAY SI4136DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for O-ring and DC-to-DC conversion applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI4136DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.00155 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 7.8 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4136DY-T1-GE3
型号： SI4136DY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4136DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V