VISHAY SI6423DQ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -12 V, 0.0068 ohm, -1.8 V, -800 mV
The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
富昌:
Single P-Channel 12 V 8.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSSOP-8
Newark:
# VISHAY SI6423DQ-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -8.2 A, -12 V, 0.0112 ohm, -1.8 V, -400 mV
针脚数 8
漏源极电阻 0.0068 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.05 W
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -9.50 A
上升时间 75 ns
下降时间 200 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15