SI4488DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4488DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 7 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4488DY-T1-GE3

型号： SI4488DY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4488DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V

替代型号SI4488DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4488DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI4488DY-T1-E3 威世	完全替代	SI4488DY-T1-GE3和SI4488DY-T1-E3的区别

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