SI4413ADY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4413ADY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -15.0 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4413ADY-T1-E3

型号： SI4413ADY-T1-E3

描述：VISHAY SI4413ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 V

替代型号SI4413ADY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4413ADY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRF7424PBF 国际整流器	功能相似	SI4413ADY-T1-E3和IRF7424PBF的区别
SI4459ADY-T1-GE3 威世	功能相似	SI4413ADY-T1-E3和SI4459ADY-T1-GE3的区别
SI4413ADY-T1-GE3 威世	功能相似	SI4413ADY-T1-E3和SI4413ADY-T1-GE3的区别