SI4896DY-T1-E3概述
VISHAY SI4896DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 80 V, 16.5 mohm, 10 V, 2 V
The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
贸泽:
MOSFET 80V 9.5A 3.1W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 N 沟道 80 V 0.0165 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
SI4896DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 16.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.56 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 11 ns
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4896DY-T1-E3
型号： SI4896DY-T1-E3
描述：VISHAY SI4896DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 80 V, 16.5 mohm, 10 V, 2 V