SI7456CDP-T1-GE3

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SI7456CDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0195 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7456CDP-T1-GE3
型号: SI7456CDP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

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