SI7113DN-T1-GE3

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SI7113DN-T1-GE3概述

VISHAY  SI7113DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

The is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
SI7113DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.119 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

上升时间 110 ns

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7113DN-T1-GE3
型号: SI7113DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7113DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

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