SIR876ADP-T1-GE3

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SIR876ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 1630pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR876ADP-T1-GE3
型号: SIR876ADP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR876ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.5 V

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