SI4497DY-T1-GE3

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SI4497DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 7.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SI4497DY-T1-GE3
描述:P沟道30 V (D -S )的MOSFET P-Channel 30 V D-S MOSFET

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