VISHAY SI7454DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server and full/half-bridge DC-to-DC applications.
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- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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- PWM optimized
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- Fast switching
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.80 A
上升时间 10 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 5.99 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7454DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH5053TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI7454DP-T1-E3和IRFH5053TRPBF的区别 |