VISHAY SI7846DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4A
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
贸泽:
MOSFET 150V 6.7A 5.2W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N 沟道 150 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7846DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 6.7 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 4.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.70 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5.99 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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