SI7846DP-T1-E3

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SI7846DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7846DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4A

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 150V 6.7A 5.2W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 150 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7846DP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 6.7 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 4.5 V


SI7846DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7846DP-T1-E3
型号: SI7846DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7846DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4A
替代型号SI7846DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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