SI7148DP-T1-E3

SI7148DP-T1-E3图片1
SI7148DP-T1-E3图片2
SI7148DP-T1-E3图片3
SI7148DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

上升时间 255 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7148DP-T1-E3
型号: SI7148DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7148DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 28A, SOIC
替代型号SI7148DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7148DP-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7148DP-T1-GE3

威世

完全替代

SI7148DP-T1-E3和SI7148DP-T1-GE3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司