SI4842BDY-T1-GE3

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SI4842BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0057 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 20 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4842BDY-T1-GE3
型号: SI4842BDY-T1-GE3
描述:MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

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