VISHAY SIR414DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V
The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification and secondary side DC-to-DC applications.
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 22 ns
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册