SI7623DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7623DN-T1-GE3概述

VISHAY SI7623DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0031 ohm, -10 V, -400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, charger switch, adaptor switch and battery switch applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI7623DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7623DN-T1-GE3

型号： SI7623DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7623DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0031 ohm, -10 V, -400 mV

立即咨询