SI7102DN-T1-GE3

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SI7102DN-T1-GE3概述

VISHAY  SI7102DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 12 V, 3.1 mohm, 4.5 V, 400 mV

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * TrenchFET® Power MOSFET * Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile * 100 % Rg Tested


e络盟:
VISHAY  SI7102DN-T1-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 12V, 35A, POWERPAK 1212-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N沟道 12 V 0.0038 Ω 110 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1206-8


Newark:
# VISHAY  SI7102DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 12 V, 3.1 mohm, 4.5 V, 400 mV


SI7102DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 125 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7102DN-T1-GE3
型号: SI7102DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7102DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 12 V, 3.1 mohm, 4.5 V, 400 mV

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